Материнская плата GIGABYTE B760M GAMING X DDR4
Артикул: 53431
Цена: 12 554 ₽
Технические характеристики:
- Bluetoothнет
- M.2 ключ Eнет
- Thunderboltнет
- Активное охлаждениенет
- Версия PCI Express4.0
- Версия PCI Express накопителей4.0
- ВидеовыходыDisplayPort, HDMI
- Внутренние коннекторы USB на платеUSB 2.0 (9 pin) x2, USB 3.2 Gen1 (19 pin), USB 3.2 Gen2
- Встроенный адаптер Wi-Fiнет
- Высота244 мм
- Гарантия от производителя36 мес.
- Другие разъемы накопителейнет
- Другие слоты расширенияPCI-E x4
- Звуковая схема7.1
- Интерфейс LPTнет
- Кнопки на платекнопка перезагрузки, кнопка Q-Flash Plus
- Количество аналоговых аудио разъёмов3
- Количество и тип USB на задней панелиUSB 3.2 Gen1 Type A x3, USB 2.0 x5
- Количество каналов памяти2
- Количество карт в SLI/Crossfireнет
- Количество портов SATA4
- Количество разъемов M.22
- Количество сетевых портов (RJ-45)1
- Количество слотов PCI-E x1нет
- Количество слотов PCI-E x161
- Количество слотов памяти4
- Комплектациядокументация
- Максимальная частота памяти (JEDEC/без разгона)3200 МГц
- Максимальный объем памяти128 ГБ
- МодельGIGABYTE B760M GAMING X DDR4
- Основной разъем питания24-pin
- Пассивное охлаждениезона VRM, чипсет, M.2 слот
- Поддержка NVMeесть
- Поддержка SLI/CrossFireнет
- Подсветка элементов платынет
- ПроизводительGigabyte
- Разъем питания процессора8-pin
- Разъем питания процессорного кулера4-pin
- Режим работы SATA RAID1, 5, 10
- Скорость сетевого адаптера2.5 Гбит/с
- Совместимые ядра процессоров IntelAlder Lake, Raptor Lake
- СокетLGA 1700
- Типматеринская плата
- Тип поддерживаемой памятиDDR4
- Форм фактор поддерживаемой памятиDIMM
- Форм-факторMicro-ATX
- Цифровые аудио порты (S/PDIF)нет
- Чипсет IntelIntel B760
- Чипсет звукового адаптераRealtek ALC897
- Чипсет сетевого адаптераRealtek RTL8125
- Ширина244 мм
Описание:
Материнские платы GIGABYTE B760M GAMING X DDR4 адресованы энтузиастам, которые практикуют применение M.2-технологических решений с целью наиболее полно раскрыть потенциал дисковой подсистемы. nНа системных платах GIGABYTE установлены силовые транзисторы Low RDS(on), которые отличает повышенная энергоэффективность и пониженное теплорассеивание. Таким образом, без ущерба для производительности системы, удается сэкономить электроэнергию, ресурсы конечных пользователей и защитить окружающую среду.